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CMT8602C-K

华普微隔离驱动芯片 CMT8602C-K
CMT8602C-K是隔离式双通道栅极驱动器，具有4A峰值拉电流和6A峰值灌电流。

产品描述

产品特征

应用

CMT8602C-K是隔离式双通道栅极驱动器，具有4A峰值拉电流和6A峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达5MHz的功率MOSEFT，IGBT和SiC MOSEFT, 具有一流的传播延迟和脉宽失真度。
输入侧通过一个 5700 Vrms 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度（CMTI）的最小值为150 kV/us。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离，支持高达1500VDC的工作电压。
每个驱动器可配置为两个低侧驱动器，两个高侧驱动器或一个死区时间（DT）可编程的半桥驱动器。禁用引脚在设为高电平时可同时关断两个输出，在保持开路或接地时允许器件正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

基本参数
隔离电压：5kV
驱动电流：4A-6A
欠压保护：13V
CMTI：150kV/us
温度范围：-40°C~125°C
驱动类型：双管驱动
封装形式：SOIC-14W

华普微隔离驱动芯片 CMT8602C-K
MT8602C-K是隔离式双通道栅极驱动器，具有4A峰值拉电流和6A峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达5MHz的功率MOSEFT，IGBT和SiC MOSEFT, 具有一流的传播延迟和脉宽失真度。

华普微隔离驱动芯片 CMT8602C-K应用：
HEV 和EV 电池充电器
直流/直流和交流/直流电源中的隔离式转换器
电机驱动和直流/交流光伏逆变器
LED照明
感应加热
不间断电源（UPS）